База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 ← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
Название: Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений Название (англ): Power bipolar transistors. Measurement methods Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметровНазвание: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Название (англ): Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters Назначение: Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Название: Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры Название (англ): Power semiconductor modules. Orerall and mounting dimensions Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулейНазвание: Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования Название (англ): Semiconductor alternating voltage converters. General specifications Назначение: Название: Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания Название (англ): Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods Назначение: Настоящий стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам)Название: Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы Название (англ): Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits Назначение: Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхемНазвание: Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы Название (англ): Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices Назначение: Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборовНазвание: Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией Название (англ): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Назначение: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборыНазвание: Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды Название (англ): Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes Назначение: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключениемНазвание: Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения Название (англ): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes Назначение: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Поиск по базе ОКУН