База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы
31.080.30. Транзисторы 1 2 3 4 5 →
Название: Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения Название (англ): Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices Назначение:
Название: Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров Название (англ): Transistors. List of basic and reference electrical parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров
Название: Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения Название (англ): Transistors type Гt701a for wide using equipment Назначение:
Название: Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры Название (англ): Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
Название: Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров Название (англ): Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
Название: Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Название (англ): Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Название: Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
Название: Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя;
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
Название: Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора Название (англ): Transistors. Method for measuring collector reverse current Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА
Название: Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера Название (англ): Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА
1 2 3 4 5 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Next post: Поиск по базе ОКУН