База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОТЕХНИКА → Полупроводниковые материалы
29.045. Полупроводниковые материалы 1 2 →
Название: Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей Название (англ): Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature Назначение: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукцииНазвание: Кремний технический. Технические условия Название (англ): Silicon technical. Specifications Назначение: Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелейНазвание: Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа Название (англ): Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis Назначение: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремнияНазвание: Кремний кристаллический. Методы определения алюминия Название (англ): Crystal silicon. Methods of aluminium determination Назначение: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнииНазвание: Кремний кристаллический. Методы определения железа Название (англ): Crystal silicon. Methods of iron determination Назначение: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнииНазвание: Кремний кристаллический. Методы определения кальция Название (англ): Crystal silicon. Methods of calcium determination Назначение: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнииНазвание: Кремний кристаллический. Методы определения титана Название (англ): Crystal silicon. Methods of titanium determination Назначение: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнииНазвание: Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия Название (англ): Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Назначение: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводникНазвание: Материалы проводниковые. Термины и определения Название (англ): Conductor materials. Terms and definitions Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературеНазвание: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров Название (англ): Semiconductor materials. Terms and definitions Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов
1 2 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Поиск по базе ОКУН