База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → МЕТРОЛОГИЯ И ИЗМЕРЕНИЯ. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ → Линейные и угловые измерения *Включая геометрические характеристики (GPS) → Линейные и угловые измерения в целом
17.040.01. Линейные и угловые измерения в целом ← 1 2
Название: Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки Название (англ): State system for ensuring the uniformity of measurements. Nanometer range relief measures with trapezoidal profile of elements. Methods for calibration Назначение: Настоящий стандарт распространяется на рельефные меры нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов, линейные размеры и материал для изготовления которых соответствуют требованиям ГОСТ Р 8.628. Рельефные меры применяют для измерения линейных размеров в диапазоне от 10 в ст. минус 9 до 10 в ст. минус 6 м.
Настоящий стандарт устанавливает методику калибровки рельефных мер
Название: Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра Название (англ): State system for ensuring the uniformity of measurements. Interplanar spacings in crystals and the intensity distribution in diffraction patterns. Method for measurement by means of an electron diffractometer Назначение: Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра.
Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А.
Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния
Название: Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа Название (англ): State system for ensuring the uniformity of measurements. Interpenar spacings in crystals. Method for measurement by means of a transmission electron microscope Назначение: Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и иных образцах толщиной не более 200 нм с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 10,00 нм в режиме дифракции и в диапазоне линейных размеров от 0,2 до 10,0 нм в режиме изображения
Название: Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра Название (англ): State system for ensuring the uniformity of measurements. Dimensional parameters of nanoparticles and thin films. Method for measurement by means of a small angle X-ray scattering diffractometer Назначение: Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения следующих измерений с помощью автоматического рентгеновского малоуглового дифрактометра:
- максимальных размеров и электронных радиусов инерции наночастиц в монодисперсных системах в диапазоне от 1 до 100 нм;
- распределения наночастиц по размерам в полидисперсных системах в диапазоне от 1 до 100 нм;
- общей толщины и размера периода повторения слоев в многослойных пленках толщиной от 1 до 100 нм.
Настоящий стандарт распространяется на:
- материалы, содержащие системы наночастиц со среднеарифметическим расстоянием между ними не менее 10 максимальных линейных размеров, с однородной электронной плотностью, большей или меньшей электронной плотности окружающей их среды;
- многослойные пленки с известным числом одинаковых групп слоев, изготовленные на твердых плоских подложках
Название: Государственная система обеспечения единства измерений. Методика измерений эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа Название (англ): State system for ensuring the uniformity of measurements. Method of surface roughness effective height measurements by means of scanning probe atomic force microscope Назначение: Настоящий стандарт устанавливает методику измерений эффективной высоты шероховатости изотропных поверхностей твердых тел с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа.
Настоящий стандарт применяют при измерениях эффективной высоты шероховатости поверхностей твердых тел в диапазоне от 10 (в степени минус девять) до 10 (в степени минус пять) м
Название: Государственная система обеспечения единства измерений. Государственная поверочная схема для средств измерений длины в диапазоне от 1·10 в степени -9 до 50 м и длин волн в диапазоне от 0,2 до 50 мкм Название (англ): State system for ensuring the uniformity of measurements. State verification schedule for measuring instruments of length in the range from 1·10-9 to 50 m and wavelength in the range from 0, 2 to 50 µm Назначение: Настоящий стандарт распространяется на государственную поверочную схему для средств измерений длины в диапазоне 1*10 в степени -9 до 50 м и длин волн в диапазоне от 0,2 до 50 мкм и устанавливает порядок передачи единицы длины от государственного первичного эталона единицы длины - метра рабочим средствам измерений с помощью вторичных и рабочих эталонов с указанием погрешностей и основных методов поверки
← 1 2
Previous post: База кодов ТНВЭД Next post: Поиск по базе ОКУН